半導(dǎo)體行業(yè)中氬氣的核心作用與安全挑戰(zhàn)

氬氣作為半導(dǎo)體制造的特種氣體，憑借其化學(xué)惰性和低電離能特性，在多個(gè)關(guān)鍵工藝環(huán)節(jié)發(fā)揮不可替代的作用：

1. 保護(hù)氣與環(huán)境控制

在光刻、封裝等精密工藝中，氬氣作為保護(hù)氣可隔絕空氣中的氧氣和水分，防止硅晶圓表面氧化或污染。例如，在晶圓切割和鍵合過(guò)程中，高純度氬氣氛圍能將氧化率降低至0.1%以下，直接影響芯片良率。

2. 等離子體工藝核心介質(zhì)

• 離子注入：作為載體氣體與等離子體源，氬氣幫助摻雜劑離子（如硼、磷）精確注入硅片，控制晶體管導(dǎo)電性。其濃度穩(wěn)定性直接影響離子注入深度偏差（要求≤±0.5%）。

• 濺射沉積：在金屬布線(xiàn)工藝中，氬等離子體轟擊靶材（如銅、鋁），使金屬原子沉積形成薄膜，氬氣純度需達(dá)到99.999%以上，否則會(huì)導(dǎo)致薄膜電阻率上升30%以上。

3. 真空系統(tǒng)維護(hù)

在光刻膠剝離、氣相沉積等真空腔體中，氬氣用于維持特定壓力環(huán)境（通常1-10Pa），并作為吹掃氣體清除殘留反應(yīng)物，其流量波動(dòng)需控制在±2%以?xún)?nèi)。

安全挑戰(zhàn)：氬氣無(wú)色無(wú)味且比空氣重（密度1.78kg/m3），泄漏后易在設(shè)備底部積聚，導(dǎo)致局部缺氧（氧含量＜19.5%），引發(fā)人員窒息風(fēng)險(xiǎn)；同時(shí)，工藝中氬氣濃度異常可能導(dǎo)致薄膜沉積速率波動(dòng)，造成批次性產(chǎn)品缺陷。

• 1測(cè)量范圍：0-100% Vol（泄漏與高濃度純度監(jiān)測(cè)），滿(mǎn)足從管道泄漏檢測(cè)到工藝氣體純度分析的全場(chǎng)景需求。

• 響應(yīng)速度：T90≤20秒，采用進(jìn)口長(zhǎng)壽命傳感器配合深國(guó)安溫濕度補(bǔ)償算法，

2. 適應(yīng)半導(dǎo)體復(fù)雜工況

• 采樣方式：內(nèi)置進(jìn)口真空泵（流量500ml/min），支持1米伸縮采樣桿，可深入反應(yīng)腔體內(nèi)或設(shè)備底部等狹小空間檢測(cè)。

• 抗干擾設(shè)計(jì)：IP67防護(hù)等級(jí)（便攜式）、Exd II CT6防爆認(rèn)證（固定式），納米涂層氣室有效抵御光刻膠蒸汽、腐蝕性氣體侵蝕。

• 多參數(shù)集成：可同時(shí)檢測(cè)氬氣濃度、溫濕度、PM2.5等10項(xiàng)指標(biāo)，支持VOCs、氧氣等氣體擴(kuò)展，滿(mǎn)足工藝關(guān)聯(lián)性分析。

• 數(shù)據(jù)追溯：10萬(wàn)條數(shù)據(jù)存儲(chǔ)（支持USB/無(wú)線(xiàn)導(dǎo)出），配合上位機(jī)軟件可生成濃度趨勢(shì)曲線(xiàn)，助力工藝優(yōu)化（如濺射速率與氬氣濃度關(guān)聯(lián)性分析）。